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触摸屏技术
技术比较
技术介绍
电阻式触摸屏
PCAP投射式触摸屏（互电容）
PCAP进一步分为自电容和互电容，或ITO 和金属(取决于电极材料）。
表面电容触摸屏幕使用一张ITO至少四个电极及其外围来计算x 和y 坐标的触摸点。这些电极意义在表面电容的变化，当一个接触的对象，如一根手指接近。这种方法，主要使用在娱乐场，昂贵和嘈杂，而且不支持多点触摸功能。
PCAP触摸屏功能中，其中每个x轴（Rx）的电极的字符串被连接到y轴器（Tx）驱动线的基片。电极的x轴和y轴可以从上一个（水平）或更多层（垂直）通过刻蚀图案。交叉口需要通过绝缘子、隔离和每个交叉点成为x，y 坐标。
PCAP触摸屏支持多点触摸功能。自1980年代以来有人想要开发多点触控，但直到2007年，当iPhone发布了，该技术成为商用。苹果公司它开发了这一技术，但Fingerworks在1990年代末就生产了第一个多点触摸产品。（2005年苹果公司收购了Fingerworks。）
大多数触摸屏面板是10点多点触控屏幕。然而,在2013年国际消费电子展, 3 M 表明其40 点多点触摸技术（金属网）。
PCAP投射式触摸屏（互电容）
多点触控PCAP触摸屏(互电容)
自电容和互电容比较
自电容式触摸屏技术措施为每个像素使用一个电极的电容的变化。因此，只需要一个电极层。在韩国,CrucialTec的触摸屏面板采用了这种技术。
只使用一个电极层,自电容相关的生产成本很低, 信号的信噪比(SNR) 很高，而且侧挡板是相对较薄。然而,这种方法很少使用，由于其倾向多点触控重影和复杂的电极线。
互电容式传感器功能x-y 网格和可以衡量在每个网格来准确地确定接触点上的个别点的电容变化。
许多触摸屏面板制造商使用互电容式传感器，因为他们并没有重影问题和他们的电极线很简单。Galaxy S4，戴着手套的同时可以使用，自电容的兴趣增加了, 正如一些人认为秒切换技术来提高信噪比。然而，我们认为美国证交会通过使用高电压，而不是从相互电容切换到自已电容改善信噪比的其旗舰车型。
PCAP层叠结构
Tx和Rx电极图案在不同的层。PCAP触摸屏可以有各种各样的层叠结构取决于: 1)位置,2)材料和3)生产模式形成的层的方法。
Tx和Rx 电极必须是导电的材料。然而，金属不能用作生产电极，电极位于活跃的显示区域。目前，ITO 透明导电材料，是首选的大多数显示面板电极材料。ITO是通过添加的SnO2，以氧化铟，以提高导电率。与此同时,使用金属网和纳米银线也在不断增加。然而,ITO仍然青睐, 比金属有更强阻力,因为其透明度。
层堆叠式结构的禁令被分为三类：1）玻璃层叠（在玻璃基板上的电极），2）薄膜层叠的（在塑料基板或薄膜电极），以及3）电极集成。
玻璃和薄膜层的创建被再次划分为：1）的附加方法，这需要一个显示板和盖玻璃之间的层，以及2）OGS，其中包括了电极上的玻璃盖。目前，附加的方法被广泛的应用，但OGS和电极集成方法预计未来有望得到普及，因为他们降低成本，可以生产更轻更薄的面板。
层叠结构取决于应用程序和价格。玻璃层叠法分为GG(SITO),GG(DITO),和G2(OGS), 薄膜层叠法成GFF,G1F,GF2(DITO), in-cell和on-cell的综合方法。
虽然每种方法都有优点和缺点，薄膜层叠比玻璃堆叠式中附加方法更受宠。关于玻璃堆叠起来的方法，投资倾斜向G2（OGS）方法。
触摸屏层叠结构的比较
GG (glass-glass SITO)
GG(glass-glass，DITO）
GG (glass-glass SITO)
GG(glass-glass，DITO)
G2 (OGS)
G2：sheet方法
G2：cell方法
GFF（glass-film-film）
1F (glass-film)
GF2 (glass-film, DITO)
On-cell (OCTA, on-cell touch AMOLED)
In-cell (LCD)
Metal mesh技术可绕式AMOLED、银纳米线技术
碳纳米管和石墨烯
IR红外线触屏技术、SAW表面声波触屏技术
ITP for TFT LCD & AMOLED displays
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